★7379★パワーアンプキット [AKIT-7379]
★7379★パワーアンプキット
[AKIT-7379]
販売価格: 2,750円(税別)
(税込: 3,025円)
在庫切れ
●概要
●仕様・機能
★本商品は組立キットで、半田付けが必要です★パワーアンプチップTDA7379+定番オペアンプNE5532を使ったパワーアンプキット、掲載資料だけで作成・使用できる方にお勧め、回路図は提供してない、プリアンプ+パワーアンプの一体型、サブウーファー(低音用スピーカ)出力付き2.1ch仕様、出力:13Wx2+38Wx1、動作電源:単電源、2通り、(1)10〜22VのDC電源、(2)9〜14VのAC電源、基板寸法:90x50x1.6mm、接続:5.08mmピッチ端子台、部品配置図面、表記価格:1
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●付属部品一覧
・専用基板x1
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・1/6W抵抗
2.2KΩ(R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 )x7
47KΩ(R8 R9 R10 R11 R12 R13)x6
10KΩ(R14 R15 R16 R17 R18 R19 R20 R21 R22 R23)x10
22KΩ(R4)x1
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・電解コンデンサ
50V10uF/5x11(EC4 EC5 )x2
50V2.2uF/5x11(EC1 EC2 EC3 ECA1 ECA2 )x5
50V47uF/6x12(EC8 EC9 EC10 )x3
16V1000uF/8x16(EC6 EC7 )x2
35V4700uF/18x32(EC11 )x1
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・フィルムコンデンサ
100V101(C1 C2 )x2
100V104(C5 C6 C7 )x3
100V224(C9 )x1
100V104(C3 C4 )x2
100V474(C8 )x1
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・ブリッジダイオード(D1):GBU606 x1
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・LED(LED):φ3mm x1
・レギュレ-タ(U4):78L08 x1
・アンプチップ(U3):TDA7379 x1
・オペアンプチップ(U1、U2):NE5532P x2
・ICソケット:8Px2
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・可変抵抗:B50Kx2
・端子台(5.08mmピッチ)x8P
・RCAジャック
赤色x1
白色x1
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●ご注意
使用にはヒートシンク(放熱器)を必ず付けてください。ヒートシンクの設計参考:ヒートシンクの大きさの決めかた
Tj = Ta + P/(θc + θh)
Tj = Ta + P/θh
Tj =℃、ヒートシンクの温度
T=℃、ジャンクション温度
Ta=℃、 気温
P=W、ICの消費電力
θc=℃/W、パッケージの熱抵抗
θh=℃/W、ヒートシンクの熱抵抗
一般に、素子のジャンクション温度TJが10℃上がる毎に半導体素子の寿命はほぼ半分になり、故障率は約2倍になるといわれており、シリコン半導体の場合はTJが約175℃を超えると破壊されるのでTJを極力下げるように設計する必要があり、通常はTj=75-85℃を目標に熱設計を行う。しかし、パワートランジスタのような高出力素子では、TJを85℃以下にすることは不可能で、仕様書に表示されているそのトランジスタの許容最高温度の0.8倍を目安にTjを設定するのが一般的である。
●仕様・機能
★本商品は組立キットで、半田付けが必要です★パワーアンプチップTDA7379+定番オペアンプNE5532を使ったパワーアンプキット、掲載資料だけで作成・使用できる方にお勧め、回路図は提供してない、プリアンプ+パワーアンプの一体型、サブウーファー(低音用スピーカ)出力付き2.1ch仕様、出力:13Wx2+38Wx1、動作電源:単電源、2通り、(1)10〜22VのDC電源、(2)9〜14VのAC電源、基板寸法:90x50x1.6mm、接続:5.08mmピッチ端子台、部品配置図面、表記価格:1
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●付属部品一覧
・専用基板x1
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・1/6W抵抗
2.2KΩ(R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 )x7
47KΩ(R8 R9 R10 R11 R12 R13)x6
10KΩ(R14 R15 R16 R17 R18 R19 R20 R21 R22 R23)x10
22KΩ(R4)x1
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・電解コンデンサ
50V10uF/5x11(EC4 EC5 )x2
50V2.2uF/5x11(EC1 EC2 EC3 ECA1 ECA2 )x5
50V47uF/6x12(EC8 EC9 EC10 )x3
16V1000uF/8x16(EC6 EC7 )x2
35V4700uF/18x32(EC11 )x1
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・フィルムコンデンサ
100V101(C1 C2 )x2
100V104(C5 C6 C7 )x3
100V224(C9 )x1
100V104(C3 C4 )x2
100V474(C8 )x1
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・ブリッジダイオード(D1):GBU606 x1
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・LED(LED):φ3mm x1
・レギュレ-タ(U4):78L08 x1
・アンプチップ(U3):TDA7379 x1
・オペアンプチップ(U1、U2):NE5532P x2
・ICソケット:8Px2
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・可変抵抗:B50Kx2
・端子台(5.08mmピッチ)x8P
・RCAジャック
赤色x1
白色x1
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●ご注意
使用にはヒートシンク(放熱器)を必ず付けてください。ヒートシンクの設計参考:ヒートシンクの大きさの決めかた
Tj = Ta + P/(θc + θh)
Tj = Ta + P/θh
Tj =℃、ヒートシンクの温度
T=℃、ジャンクション温度
Ta=℃、 気温
P=W、ICの消費電力
θc=℃/W、パッケージの熱抵抗
θh=℃/W、ヒートシンクの熱抵抗
一般に、素子のジャンクション温度TJが10℃上がる毎に半導体素子の寿命はほぼ半分になり、故障率は約2倍になるといわれており、シリコン半導体の場合はTJが約175℃を超えると破壊されるのでTJを極力下げるように設計する必要があり、通常はTj=75-85℃を目標に熱設計を行う。しかし、パワートランジスタのような高出力素子では、TJを85℃以下にすることは不可能で、仕様書に表示されているそのトランジスタの許容最高温度の0.8倍を目安にTjを設定するのが一般的である。